芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利，可优化器件的性能

2024年7月7日消息，天眼查知识产权信息显示，上海芯导电子科技股份有限公司取得一项名为“一种自对准的场效应晶体管及其制备方法“，授权公告号CN113299599B，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法，于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层，于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层，刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层，由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准，刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。此方法可不通过光刻对准的方式形成有源区接触孔，而是采用侧壁介质层的形式形成有源区接触孔，在器件尺寸进一步缩小时，降低对准难度，优化器件的性能。